IEC

IEC 60747-9(1998)/Amd.1(2001)

Технология поверхностного монтажа. Дискретные приборы. Часть 9. Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT). Изменение 1

Semiconductor devices - Discrete devices - Part 9: Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs). Amendment 1

Основные сведения

Статус
Заменен
Количество страниц
79

Подробная информация

Обозначение
IEC 60747-9(1998)/Amd.1(2001)
Заглавие на русском языке
Технология поверхностного монтажа. Дискретные приборы. Часть 9. Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT). Изменение 1
Заглавие на английском языке
Semiconductor devices - Discrete devices - Part 9: Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs). Amendment 1
МКС
31.080.30
Вид стандарта
ST
Обозначение заменяющего
IEC 60747-9(2007)
Обозначение заменяемого в части
IEC 60747-9(1998)
Дата опубликования
01.08.2001
Язык оригинала
английский;французский
Количество страниц оригинала
79
ТК – разработчик стандарта
SC 47E
Номер издания
1.0
Статус
Заменен