IEC

IEC 60747-9(1998)

Технология поверхностного монтажа. Дискретные приборы. Часть 9. Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

Semiconductor devices - Discrete devices - Part 9: Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs)

Основные сведения

Статус
Заменен
Количество страниц
53

Ключевые слова

Транзисторы биполярные

Подробная информация

Обозначение
IEC 60747-9(1998)
Заглавие на русском языке
Технология поверхностного монтажа. Дискретные приборы. Часть 9. Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Заглавие на английском языке
Semiconductor devices - Discrete devices - Part 9: Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs)
МКС
31.080
Ключевые слова
Транзисторы биполярные
Вид стандарта
ST*N
Дескрипторы (английский язык)
BIPOLAR TRANSISTORS*COMPONENTS*CONNECTIONS FOR MEASUREMENT*DEFINITIONS*DIMENSIONING*DISCRETE DEVICES*ELECTRICAL ENGINEERING*ELECTRICAL MEASUREMENT*ELECTRONIC ENGINEERING*ELECTRONIC EQUIPMENT AND COMPONENTS*INTEGRATED CIRCUITS*LIMITS (MATHEMATICS)*MEASUREMENT*MEASURING TECHNIQUES*PROPERTIES*RATINGS*SEMICONDUCTOR DEVICES*SEMICONDUCTORS*SYMBOLS*TESTING*TRANSISTORS*ELECTRIC MEASUREMENTS*ELECTRONIC EQU*MATHEMATICS
Обозначение заменяемого(ых)
IEC 47E/109/FDIS(1998.04)
Обозначение заменяющего
IEC 60747-9(2007)
Обозначение заменяющего в части
IEC 60747-9(1998)/Amd.1(2001)
Дата опубликования
01.08.1998
Язык оригинала
английский;французский
Количество страниц оригинала
53
ТК – разработчик стандарта
SC 47E
Номер издания
1.0
Статус
Заменен