IEC

IEC 60749-19(2003)

Приборы полупроводниковые. Методы механических и климатических испытаний. Часть 19. Прочность кристалла на сдвиг

Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 19: Die shear strength

Основные сведения

Статус
Действует
Количество страниц
14

Подробная информация

Обозначение
IEC 60749-19(2003)
Заглавие на русском языке
Приборы полупроводниковые. Методы механических и климатических испытаний. Часть 19. Прочность кристалла на сдвиг
Заглавие на английском языке
Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 19: Die shear strength
МКС
31.080.01
Вид стандарта
ST
Обозначение заменяемого(ых)
IEC 60749(1996) в части, IEC 60749(1996)/Amd.1(2000) в части, IEC 60749(1996)/Amd.2(2001) в части, IEC 60749(2002) в части
Обозначение заменяющего в части
IEC 60749-19(2003)/Amd.1(2010)
Дата опубликования
14.02.2003
Язык оригинала
английский;французский
Количество страниц оригинала
14
ТК – разработчик стандарта
TC 47
Номер издания
1.0
Статус
Действует
Код цены
B