Основные сведения
- Статус
- Отменен
- Количество страниц
- 38
Подробная информация
- Обозначение
- IEC 60747-8-1(1987)
- Заглавие на русском языке
- Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы и интегральные схемы. Раздел 1: Типовая форма частных технических условий: полевые транзисторы с одним затвором мощностью до 5 Вт и частотой 1 ГГц
- Заглавие на английском языке
- Semiconductor devices - Discret devices. Part 8: Field-effect transistors. Blank detail specification for single-gate field-effect transistors, up to 5 W and 1 GHz
- МКС
- 31.080.30
- Вид стандарта
- ST*N
- Дескрипторы (английский язык)
- ASSESSMENT LEVEL*BARRIERS LAYERS*COMPONENTS*DEFINITIONS*DETAIL SPECIFICATION*ELECTRICAL ENGINEERING*ELECTRONIC ENGINEERING*ELECTRONIC EQUIPMENT AND COMPONENTS*FIELD-EFFECT TRANSISTORS*INSPECTION*INTEGRATED CIRCUITS*LIMITS (MATHEMATICS)*MARKING*MEASUREMENT*MEASURING TECHNIQUES*MECHANICAL PROPERTIES*PROPERTIES*QUALITY ASSESSMENT PROCEDURES*QUALITY ASSESSMENT SYSTEMS*RATINGS*SEMICONDUCTOR DEVICES*SEMICONDUCTORS*SPECIFICATION (APPROVAL)*SYMBOLS*TRANSISTORS*SPECIFICATIONS*ELECTRONIC EQU*MATHEMATICS
- Дата опубликования
- 01.01.1987
- Язык оригинала
- английский;французский
- Количество страниц оригинала
- 38
- ТК – разработчик стандарта
- SC 47E
- Номер издания
- 1.0
- Статус
- Отменен