IEC

IEC 60747-9(2007)

Полупроводниковые устройства. Дискретные устройства. Часть 9. Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

Semiconductor devices - Discrete devices - Part 9: Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs)

Основные сведения

Статус
Заменен
Количество страниц
122

Подробная информация

Обозначение
IEC 60747-9(2007)
Заглавие на русском языке
Полупроводниковые устройства. Дискретные устройства. Часть 9. Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Заглавие на английском языке
Semiconductor devices - Discrete devices - Part 9: Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs)
МКС
31.080.30, 31.080.01
Вид стандарта
ST
Обозначение заменяемого(ых)
IEC 60747-9(1998), IEC 60747-9(1998)/Amd.1(2001), IEC 60747-9(2001)
Обозначение заменяющего
IEC 60747-9(2019)
Дата опубликования
27.09.2007
Язык оригинала
английский;французский
Количество страниц оригинала
122
ТК – разработчик стандарта
SC 47E
Номер издания
2.0
Статус
Заменен
Код цены
K