IEC

IEC 60747-8-3(1995)

Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы и интегральные схемы. Часть 8: Полевые транзисторы. Раздел 3: Типовая форма частных технических условий на полевые транзисторы с оговоренной температурой корпуса, применяемые для коммутации

Semiconductor devices - Discrete devices - Part 8: Field-effect transistors - Section 3: Blank detail specification for case-rated field-effect transistors for switching applications

Основные сведения

Статус
Заменен
Количество страниц
40

Подробная информация

Обозначение
IEC 60747-8-3(1995)
Заглавие на русском языке
Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы и интегральные схемы. Часть 8: Полевые транзисторы. Раздел 3: Типовая форма частных технических условий на полевые транзисторы с оговоренной температурой корпуса, применяемые для коммутации
Заглавие на английском языке
Semiconductor devices - Discrete devices - Part 8: Field-effect transistors - Section 3: Blank detail specification for case-rated field-effect transistors for switching applications
МКС
31.080.30
Вид стандарта
ST*N
Дескрипторы (английский язык)
DETAIL SPECIFICATION*DISCRETE DEVICES*ELECTRICAL ENGINEERING*ELECTRONIC EQUIPMENT AND COMPONENTS*FIELD-EFFECT TRANSISTORS*SEMICONDUCTOR DEVICES*SPECIFICATION*TRANSISTORS*ELECTRONIC EQU
Обозначение заменяемого(ых)
IEC/DIS 47(Central Office)1350(1993.01)
Обозначение заменяющего
IEC 60747-8(2010)
Дата опубликования
01.04.1995
Язык оригинала
английский;французский
Количество страниц оригинала
40
ТК – разработчик стандарта
SC 47E
Номер издания
1.0
Статус
Заменен