Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы и интегральные схемы. Часть 6: Тиристоры. Раздел 3: Типовая форма частных технических условий на однооперационные триодные тиристоры с определенными параметрами для условий окружающей среды и корпуса, рассчитанные на ток свыше 100 А
Semiconductor devices; discrete devices; part 6: thyristors: section 3: blank detail specification for reverse blocking triode thyristors, ambient and case-rated, for currents greater than 100 A
Основные сведения
Статус
Отменен
Количество страниц
34
Подробная информация
Обозначение
IEC 60747-6-3(1993)
Заглавие на русском языке
Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы и интегральные схемы. Часть 6: Тиристоры. Раздел 3: Типовая форма частных технических условий на однооперационные триодные тиристоры с определенными параметрами для условий окружающей среды и корпуса, рассчитанные на ток свыше 100 А
Заглавие на английском языке
Semiconductor devices; discrete devices; part 6: thyristors: section 3: blank detail specification for reverse blocking triode thyristors, ambient and case-rated, for currents greater than 100 A
МКС
31.080.20
Вид стандарта
ST*N
Дескрипторы (английский язык)
DETAIL SPECIFICATION*ELECTRONIC ENGINEERING*ELECTRONIC EQUIPMENT AND COMPONENTS*SEMICONDUCTOR DEVICES*THYRISTORS*TRIODE THYRISTORS*TRIODES*ELECTRONIC EQU
