IEC

IEC 60747-8-2(1993)

Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы и интегральные схемы. Часть 8: Полевые транзисторы. Раздел 2: Типовая форма частных технических условий на полевые транзисторы для усилителей мощности с определенными параметрами корпуса

Semicoductor devices; discrete devices; part 8: field-effect transistors; section 2: blank detail specification for field-effect transistors for case-rated power amplifier applications

Основные сведения

Статус
Заменен
Количество страниц
38

Подробная информация

Обозначение
IEC 60747-8-2(1993)
Заглавие на русском языке
Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы и интегральные схемы. Часть 8: Полевые транзисторы. Раздел 2: Типовая форма частных технических условий на полевые транзисторы для усилителей мощности с определенными параметрами корпуса
Заглавие на английском языке
Semicoductor devices; discrete devices; part 8: field-effect transistors; section 2: blank detail specification for field-effect transistors for case-rated power amplifier applications
МКС
31.080.30
Вид стандарта
ST*N
Дескрипторы (английский язык)
BLANK FORMS*DETAIL SPECIFICATION*ELECTRONIC ENGINEERING*ELECTRONIC EQUIPMENT AND COMPONENTS*FIELD EFFECT TRANSISTORS*POWER AMPLIFIERS*SEMICONDUCTOR DEVICES*TRANSISTORS*ELECTRONIC EQU*FIELD-EFFECT TRANSISTORS*FIELD-EFFECT TRANSISTORS
Обозначение заменяющего
IEC 60747-8(2010)
Дата опубликования
01.02.1993
Язык оригинала
английский;французский
Количество страниц оригинала
38
ТК – разработчик стандарта
SC 47E
Номер издания
1.0
Статус
Заменен