IEC

IEC 60749-19(2003)/Amd.1(2010)

Приборы полупроводниковые. Методы механических и климатических испытаний. Часть 19. Прочность кристалла на сдвиг. Изменение 1

Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 19: Die shear strength. Amendment 1

Основные сведения

Статус
Действует
Количество страниц
8

Подробная информация

Обозначение
IEC 60749-19(2003)/Amd.1(2010)
Заглавие на русском языке
Приборы полупроводниковые. Методы механических и климатических испытаний. Часть 19. Прочность кристалла на сдвиг. Изменение 1
Заглавие на английском языке
Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods - Part 19: Die shear strength. Amendment 1
МКС
31.080.01
Вид стандарта
ST
Обозначение заменяемого в части
IEC 60749-19(2003)
Дата опубликования
28.07.2010
Язык оригинала
английский;французский
Количество страниц оригинала
8
ТК – разработчик стандарта
TC 47
Номер издания
1.0
Статус
Действует
Код цены
A