IEC

IEC 63068-1(2019)

Приборы полупроводниковые. Критерии распознавания дефектов в гомоэпитаксиальных полупроводниковых пластинах из карбида кремния для устройств питания. Часть 1. Классификация дефектов

Semiconductor devices - Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices - Part 1: Classification of defects

Основные сведения

Статус
Действует
Количество страниц
23

Подробная информация

Обозначение
IEC 63068-1(2019)
Заглавие на русском языке
Приборы полупроводниковые. Критерии распознавания дефектов в гомоэпитаксиальных полупроводниковых пластинах из карбида кремния для устройств питания. Часть 1. Классификация дефектов
Заглавие на английском языке
Semiconductor devices - Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices - Part 1: Classification of defects
МКС
31.080.99
Вид стандарта
ST
Дата опубликования
30.01.2019
Язык оригинала
английский
Количество страниц оригинала
23
ТК – разработчик стандарта
TC 47
Номер издания
1.0
Статус
Действует
Код цены
F