IEC

IEC 63068-2(2019)

Приборы полупроводниковые. Критерии распознавания дефектов в гомоэпитаксиальных полупроводниковых пластинах из карбида кремния для устройств питания. Часть 2. Метод определения дефектов с помощью оптического неразрушающего контроля

Semiconductor devices – Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices - Part 2: Test method for defects using optical inspection

Основные сведения

Статус
Действует
Количество страниц
25

Подробная информация

Обозначение
IEC 63068-2(2019)
Заглавие на русском языке
Приборы полупроводниковые. Критерии распознавания дефектов в гомоэпитаксиальных полупроводниковых пластинах из карбида кремния для устройств питания. Часть 2. Метод определения дефектов с помощью оптического неразрушающего контроля
Заглавие на английском языке
Semiconductor devices – Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices - Part 2: Test method for defects using optical inspection
МКС
31.080.99
Вид стандарта
ST
Дата опубликования
30.01.2019
Язык оригинала
английский
Количество страниц оригинала
25
ТК – разработчик стандарта
TC 47
Номер издания
1.0
Статус
Действует
Код цены
F