IEC

IEC 60747-9(2019)

Приборы полупроводниковые. Часть 9. Дискретные устройства. Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

Semiconductor devices - Part 9: Discrete devices - Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs)

Основные сведения

Статус
Действует
Количество страниц
164

Подробная информация

Обозначение
IEC 60747-9(2019)
Заглавие на русском языке
Приборы полупроводниковые. Часть 9. Дискретные устройства. Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
Заглавие на английском языке
Semiconductor devices - Part 9: Discrete devices - Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs)
МКС
31.080.01; 31.080.30
Вид стандарта
ST
Обозначение заменяемого(ых)
IEC 60747-9(2007)
Дата опубликования
13.11.2019
Язык оригинала
английский;французский
Количество страниц оригинала
164
ТК – разработчик стандарта
TC 47/SC 47E
Номер издания
3.0
Статус
Действует
Код цены
L