IEC

IEC 63068-3(2020)

Приборы полупроводниковые. Критерии распознавания дефектов в гомоэпитаксиальных полупроводниковых пластинах из карбида кремния для устройств питания. Часть 3. Метод определения дефектов с помощью фотолюминесценции

Semiconductor devices - Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices - Part 3: Test method for defects using photoluminescence

Основные сведения

Статус
Действует
Количество страниц
51

Подробная информация

Обозначение
IEC 63068-3(2020)
Заглавие на русском языке
Приборы полупроводниковые. Критерии распознавания дефектов в гомоэпитаксиальных полупроводниковых пластинах из карбида кремния для устройств питания. Часть 3. Метод определения дефектов с помощью фотолюминесценции
Заглавие на английском языке
Semiconductor devices - Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices - Part 3: Test method for defects using photoluminescence
МКС
31.080.99
Вид стандарта
ST
Дата опубликования
13.07.2020
Язык оригинала
английский;французский
Количество страниц оригинала
51
ТК – разработчик стандарта
TC 47
Номер издания
1.0
Статус
Действует
Код цены
G