IEC

IEC 63275-1(2022)

Приборы полупроводниковые. Метод испытаний на надежность карбидокремниевых дискретных полевых МОП-транзисторов. Часть 1. Метод определения температурной нестабильности смещения

Semiconductor devices - Reliability test method for silicon carbide discrete metal-oxide semiconductor field effect transistors - Part 1: Test method for bias temperature instability

Основные сведения

Статус
Действует
Количество страниц
30

Подробная информация

Обозначение
IEC 63275-1(2022)
Заглавие на русском языке
Приборы полупроводниковые. Метод испытаний на надежность карбидокремниевых дискретных полевых МОП-транзисторов. Часть 1. Метод определения температурной нестабильности смещения
Заглавие на английском языке
Semiconductor devices - Reliability test method for silicon carbide discrete metal-oxide semiconductor field effect transistors - Part 1: Test method for bias temperature instability
МКС
31.080.30
Вид стандарта
ST
Дата опубликования
21.04.2022
Язык оригинала
английский;французский
Количество страниц оригинала
30
ТК – разработчик стандарта
TC 47
Номер издания
1.0
Статус
Действует
Код цены
D