Основные сведения
- Статус
- Действует
- Количество страниц
- 24
Подробная информация
- Обозначение
- IEC 63275-2(2022)
- Заглавие на русском языке
- Приборы полупроводниковые. Метод испытаний на надежность карбидокремниевых дискретных полевых МОП-транзисторов. Часть 2. Метод определения биполярной деградации из-за работы паразитного диода
- Заглавие на английском языке
- Semiconductor devices - Reliability test method for silicon carbide discrete metal-oxide semiconductor field effect transistors - Part 2: Test method for bipolar degradation due to body diode operation
- МКС
- 31.080.30
- Вид стандарта
- ST
- Дата опубликования
- 11.05.2022
- Язык оригинала
- английский;французский
- Количество страниц оригинала
- 24
- ТК – разработчик стандарта
- TC 47
- Номер издания
- 1.0
- Статус
- Действует
- Код цены
- C