Федеральный информационный фонд
Каталоги стандартов
Единая навигация по российским, международным и зарубежным документам по стандартизации, классификаторам и специализированным реестрам.
Выберите каталог
Российские документы
Международные и зарубежные стандарты
Классификаторы и специализированные реестры
IEC
Международные стандарты IEC
Документы Международной электротехнической комиссии.
Документов: 23 540
IEC 60747-3(1985)/Amd.1(1991)Заменен
Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы и интегральные схемы. Часть 3: Сигнальные диоды и диоды-регуляторы. Изменение 1Semiconductor devices; discrete devices; part 3: signal (including switching) and regulator diodes; amendment 1Открыть карточку →IEC 60747-3(1985)/Amd.2(1993)Заменен
Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы и интегральные схемы. Часть 3: Сигнальные диоды и диоды-регуляторы. Изменение 2Semiconductor devices; discrete devices; part 3: signal (including switching) and regulator diodes; amendment 2Открыть карточку →IEC 60747-3(2013)Действует
Приборы полупроводниковые. Часть 3. Дискретные приборы. Сигнальные, переключающие и регулирующие диодыSemiconductor devices - Part 3: Discrete devices: Signal, switching and regulator diodesОткрыть карточку →IEC 60747-3-2(1986)Отменен
Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы и интегральные схемы. Раздел 2: Типовая форма частных технических условий: стабилитроны и опорные диоды, кроме прецизионных опорных диодов с температурной компенсациейSemiconductor devices. Discrete devices. Part 3 : Signal (including switching) and regulator diodes. Section Two: Blank detail specification for voltage-regulator diodes and voltage-reference diodes, excluding temperature-compensated precision reference diodesОткрыть карточку →IEC 60747-4-1(2000)Отменен
Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы. Часть 4-1. Микроволновые диоды и транзисторы. Микроволновые полевые транзисторы. Форма частных технических условийSemiconductor devices. Discrete devices. Part 4-1. Microwave diodes and transistors. Microwave field effect transistors. Blank detail specificationОткрыть карточку →IEC 60747-4(1991)Заменен
Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы. Часть 4: СВЧ-диоды и транзисторыSemiconductor devices; discrete devices; part 4: microwave diodes and transistorsОткрыть карточку →IEC 60747-4(1991)/Amd.1(1993)Заменен
Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы. Часть 4: СВЧ-диоды и транзисторы. Изменение 1Semiconductor devices; discrete devices; part 4: microwave diodes and transistors; amendment 1Открыть карточку →IEC 60747-4(1991)/Amd.2(1999)Заменен
Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы. Часть 4: СВЧ-диоды и транзисторы. Изменение 2Semiconductor devices; discrete devices; part 4: microwave diodes and transistors. Amendment 2Открыть карточку →IEC 60747-4(2001)Заменен
Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы. Часть 4: СВЧ-диоды и транзисторыSemiconductor devices; discrete devices; part 4: microwave diodes and transistorsОткрыть карточку →IEC 60747-4(2007)Действует
Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы. Часть 4. Сверхвысокочастотные диоды и транзисторыSemiconductor devices - Discrete devices - Part 4: Microwave diodes and transistorsОткрыть карточку →IEC 60747-4(2007)/Amd.1(2017)Действует
Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы. Часть 4. Сверхвысокочастотные диоды и транзисторы. Изменение 1Semiconductor devices - Discrete devices - Part 4: Microwave diodes and transistors. Amendment 1Открыть карточку →IEC 60747-4(2017)Действует
Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы. Часть 4. Сверхвысокочастотные диоды и транзисторыSemiconductor devices - Discrete devices - Part 4: Microwave diodes and transistorsОткрыть карточку →