Федеральный информационный фонд
Каталоги стандартов
Единая навигация по российским, международным и зарубежным документам по стандартизации, классификаторам и специализированным реестрам.
Выберите каталог
Российские документы
Международные и зарубежные стандарты
Классификаторы и специализированные реестры
IEC
Международные стандарты IEC
Документы Международной электротехнической комиссии.
Документов: 23 540
IEC 60747-7(1988)/Amd.1(1991)Заменен
Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы и интегральные схемы. Часть 7: Биполярные транзисторы. Изменение 1Semiconductor discrete devices and integrated circuits; part 7: bipolar transistors; amendment 1Открыть карточку →IEC 60747-7(1988)/Amd.2(1994)Заменен
Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы и интегральные схемы. Часть 7: Биполярные транзисторы. Изменение 2Semiconductor discrete devices and integrated circuits - Part 7: Bipolar transistors; Amendment 2Открыть карточку →IEC 60747-7(2000)Заменен
Приборы полупроводниковые. Часть 7. Биполярные транзисторыSemiconductor devices. Part 7. Bipolar transistorsОткрыть карточку →IEC 60747-7(2010)Действует
Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы. Часть 7. Биполярные транзисторыSemiconductor devices - Discrete devices - Part 7: Bipolar transistorsОткрыть карточку →IEC 60747-7(2010)/Amd.1(2019)Действует
Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы. Часть 7. Биполярные транзисторы. Изменение 1Semiconductor devices - Discrete devices - Part 7: Bipolar transistors. Amendment 1Открыть карточку →IEC 60747-7(2019)Действует
Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы. Часть 7. Биполярные транзисторыSemiconductor devices - Discrete devices - Part 7: Bipolar transistorsОткрыть карточку →IEC 60747-7-2(1989)Отменен
Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы и интегральные схемы. Раздел 2: Типовая форма частных технических условий на биполярные транзисторы для низкочастотного усиления с определенными параметрами корпусаSemiconductor devices; discrete devices; part 7: bipolar transistors; section two: blank detail specification for case-rated bipolar transistors for low-frequency amplificationОткрыть карточку →IEC 60747-7-3(1991)Отменен
Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы и интегральные схемы. Раздел 3. Форма частных технических условий на биполярные транзисторы для переключателейSemiconductor devices; discrete devices; part 7: bipolar transistors; section 3: blank detail specification for bipolar transistors for switching appliancesОткрыть карточку →IEC 60747-7-4(1991)Отменен
Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы и интегральные приборы. Раздел 4. Форма технических условий на биполярные транзисторы для высокочастотного усиления с определенными параметрами корпусаSemiconductor devices; discrete devices; part 7: bipolar transistors; section 4: blank detail specification for case-rated bipolar transistors for high-frequency amplificationОткрыть карточку →IEC 60747-7-5(2005)Заменен
Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы и интегральные приборы. Часть 7-5. Биполярные транзисторы для применений в силовых переключателяхSemiconductor devices - Discrete devices - Part 7-5: Bipolar transistors for power switching applicationsОткрыть карточку →IEC 60747-8-1(1987)Отменен
Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы и интегральные схемы. Раздел 1: Типовая форма частных технических условий: полевые транзисторы с одним затвором мощностью до 5 Вт и частотой 1 ГГцSemiconductor devices - Discret devices. Part 8: Field-effect transistors. Blank detail specification for single-gate field-effect transistors, up to 5 W and 1 GHzОткрыть карточку →IEC 60747-8(1984)Заменен
Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы и интегральные схемы. Часть 8: Полевые транзисторыSemiconductor devices. Discrete devices. Part 8 : Field-effect transistorsОткрыть карточку →