Федеральный информационный фонд
Каталоги стандартов
Единая навигация по российским, международным и зарубежным документам по стандартизации, классификаторам и специализированным реестрам.
Выберите каталог
Российские документы
Международные и зарубежные стандарты
Классификаторы и специализированные реестры
IEC
Международные стандарты IEC
Документы Международной электротехнической комиссии.
Документов: 23 540
IEC 60747-8(1984)/Amd.1(1991)Заменен
Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы и интегральные схемы. Часть 8: Полевые транзисторы. Изменение 1Semiconductor devices; discrete devices; part 8: field-effect transistors; amendment 1Открыть карточку →IEC 60747-8(1984)/Amd.2(1993)Заменен
Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы и интегральные схемы. Часть 8: Полевые транзисторы. Изменение 2Semiconductor devices; discrete devices; part 8: field-effect transistors; amendment 2Открыть карточку →IEC 60747-8(2000)Заменен
Приборы полупроводниковые. Часть 8. Полевые транзисторыSemiconductor devices. Part 8. Field-effect transistorsОткрыть карточку →IEC 60747-8(2010)Действует
Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы. Часть 8. Полевые транзисторыSemiconductor devices - Discrete devices - Part 8: Field-effect transistorsОткрыть карточку →IEC 60747-8(2010)/Amd.1(2021)Действует
Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы. Часть 8. Полевые транзисторы. Изменение 1Semiconductor devices - Discrete devices - Part 8: Field-effect transistors. Amendment 1Открыть карточку →IEC 60747-8(2021)Действует
Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы. Часть 8. Полевые транзисторыSemiconductor devices - Discrete devices - Part 8: Field-effect transistorsОткрыть карточку →IEC 60747-8-2(1993)Заменен
Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы и интегральные схемы. Часть 8: Полевые транзисторы. Раздел 2: Типовая форма частных технических условий на полевые транзисторы для усилителей мощности с определенными параметрами корпусаSemicoductor devices; discrete devices; part 8: field-effect transistors; section 2: blank detail specification for field-effect transistors for case-rated power amplifier applicationsОткрыть карточку →IEC 60747-8-3(1995)Заменен
Приборы полупроводниковые. Дискретные приборы и интегральные схемы. Часть 8: Полевые транзисторы. Раздел 3: Типовая форма частных технических условий на полевые транзисторы с оговоренной температурой корпуса, применяемые для коммутацииSemiconductor devices - Discrete devices - Part 8: Field-effect transistors - Section 3: Blank detail specification for case-rated field-effect transistors for switching applicationsОткрыть карточку →IEC 60747-8-4(2004)Заменен
Приборы полупроводниковые дискретные. Часть 8-4. Полевые транзисторы метал-оксид- полупроводник, применяемые для переключения мощностиDiscrete semiconductor devices - Part 8-4: Metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) for power switching applicationsОткрыть карточку →IEC 60747-9(1998)Заменен
Технология поверхностного монтажа. Дискретные приборы. Часть 9. Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)Semiconductor devices - Discrete devices - Part 9: Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs)Открыть карточку →IEC 60747-9(1998)/Amd.1(2001)Заменен
Технология поверхностного монтажа. Дискретные приборы. Часть 9. Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT). Изменение 1Semiconductor devices - Discrete devices - Part 9: Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs). Amendment 1Открыть карточку →IEC 60747-9(2001)Заменен
Технология поверхностного монтажа. Дискретные приборы. Часть 9. Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT)Semiconductor devices - Discrete devices - Part 9: Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs)Открыть карточку →